国家/地区 美国（35） 世界知识产权组织（31） 日本（29） 韩国（27） 中国（24） 欧洲专利局（EPO）（21） 台湾（8） 法国（5） 印度（5） 俄罗斯（4） 加拿大（3） 西班牙（3） 墨西哥（3） 波兰（3） 澳大利亚（2） 英国（2） 新加坡（2）
IPC部 C（59） B（33） H（22）
IPC大类 C01（59）
IPC小类 C01B（59） C30B（59） C23C（26）
B82Y（21） H01L（16） B32B（12）
B82B（10） H01B（9） B05D（7）
B01J（6） C23F（3） B05C（2）
C08L（2） C09K（2） C22C（2）
IPC C01B031/02（59）
发明人 GUO H（4） ZHANG Y（4） TANG X（3）
VEERASAMY V（3） VEERASAMY V S（3） ZHANG K（3）
ZHAO Y（3） CHIBA Y（2） CHIBA YOSHIHIRO（2）
COJOCARU C（2） OUERGHI A（2）
公开年 2013（15） 2011（12） 2014（11） 2012（10） 2015（4） 2010（2） 2016（2） 2017（2）
申请年 2012（19）  2011（13）  2013（8）  2009（5）  2010（5）  2014（4）  2015（2）  2016（2） 
专利权人 CENT NAT REC.（4） UNIV XIDIAN（4） DOKURITSU GY.（3） GUARDIAN GLA.（3）
GUARDIAN IND（3） GUARDIAN IND.（3） CNRS CENT NA.（2） ECOLE POLYTE.（2）
JX NIPPON MI.（2） NAMIKI SEIMI.（2） NIPPON MININ.（2） SAMSUNG TECH.（2）
UNIV NAGOYA（2）

Synthesis of Q-carbon, graphene and diamond used as e.g. nanodots, involves depositing amorphous carbon on substrate, melting amorphous carbon into undercooled state and quenching melted amorphous carbon from undercooled state.

NARAYAN J

Membrane for providing selective permeability in filtration applications, comprises sheet of graphene-based material having perforations with specified pore size, non-graphenic carbon-based material, and contact areas between materials.

SWETT J L, BEDWORTH P V, HEISE S E, SINTON S W, SIMON S M, BULLOCK S E, LIU H, SINSABAUGH S L

Producing single or multi layered graphene-containing carbon structures on a surface of grains of copper powder and/or its alloy comprises e.g. mixing copper or its alloy powder and inert powder, and annealing at a fluidized temperature.

BABUL T, OBUCHOWICZ Z, KOWALSKI S, BLASZCZYK J

Synthesis of graphene derivatives and functional materials used in e.g. transistors, sensors, actuators, pharmaceutical, information displays and semiconductor comprises forming refluxed solution of starting material and additive.

TANIMOLA O W

Making graphene used as an impenetrable gas barrier, comprises providing seed gas in presence of metallic substrate, providing pulsed, ultraviolet laser beam and moving substrate or laser beam relative to other.

CASTRO A H, OZYILMAZ B, STIER A V, TOH C T, DU Z, CASTRO N A H

Manufacture of monocrystal graphene film for semiconductor device, involves forming polycrystalline graphene on substrate using hydrocarbon gas, growing graphene film, forming catalyst, heating and recrystallizing.

HWANG C, HWANG C Y

Manufacture of monocrystalline graphene involves forming high-temperature portion on substrate with metal thin film using high-heat generating device, supplying carbon source, and contacting carbon source with high-temperature portion.

OH E, LEE D, LEE S, JANG H

Formation of graphene for structure formation involves depositing metals on surface of silicon carbide and heating silicon carbide and metals under predetermined conditions.

IACOPI F, AHMED M, CUNNING B V

Graphene film used in an electrode is obtainable by epitaxially growing metal layer on surface of substrate, peeling off the metal layer, and depositing graphene onto surface of metal layer.

WODTKE A, YU H K, ALEC W, HAK KI Y, YU H, YUK H K, YUK H

Growing graphene on a substrate, comprises forming a metal oxide layer on substrate using reactive metal oxide to prepare structure, and growing graphene by heat treatment, while exposing the structure to gas containing carbon.

CHOI J W